2SK4093TZ-E數據表









制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 250V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 1A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.5V, 4V Rds On(Max)@ Id,Vgs 2.6Ohm @ 500mA, 4V Vgs(th)(最大)@ ID - 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 5.5nC @ 4V Vgs(最大) ±10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 140pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 900mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-92MOD 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body |