2SK4150TZ-E數據表
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制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 400mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs 5.7Ohm @ 200mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 3.7nC @ 4V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 80pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 750mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-92 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
