4N35(SHORT數據表
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 頻道數 1 電壓-隔離 2500Vrms 電流傳輸比（最小值） 40% @ 10mA 電流傳輸比（最大值） - 開啟/關閉時間（典型值） 3µs, 3µs 上升/下降時間（典型值） - 輸入類型 DC 輸出類型 Transistor with Base 電壓-輸出（最大值） 30V 電流-輸出/通道 100mA 電壓-正向（Vf）（典型值） 1.15V 電流-直流正向（If）（最大值） 60mA Vce飽和度（最大值） 300mV 工作溫度 -55°C ~ 100°C 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 6-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝 6-DIP |
