ALD114835PCL數據表
Advanced Linear Devices Inc. 制造商 Advanced Linear Devices Inc. 系列 EPAD® FET類型 4 N-Channel, Matched Pair FET功能 Depletion Mode 漏極至源極電壓(Vdss) 10.6V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 12mA, 3mA Rds On(Max)@ Id,Vgs 540Ohm @ 0V Vgs(th)(最大)@ ID 3.45V @ 1µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs - 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2.5pF @ 5V 功率-最大 500mW 工作溫度 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝 16-PDIP |
Advanced Linear Devices Inc. 制造商 Advanced Linear Devices Inc. 系列 EPAD® FET類型 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能 Depletion Mode 漏極至源極電壓(Vdss) 10.6V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 12mA, 3mA Rds On(Max)@ Id,Vgs 540Ohm @ 0V Vgs(th)(最大)@ ID 3.45V @ 1µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs - 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2.5pF @ 5V 功率-最大 500mW 工作溫度 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 8-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝 8-PDIP |
Advanced Linear Devices Inc. 制造商 Advanced Linear Devices Inc. 系列 EPAD® FET類型 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能 Depletion Mode 漏極至源極電壓(Vdss) 10.6V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 12mA, 3mA Rds On(Max)@ Id,Vgs 540Ohm @ 0V Vgs(th)(最大)@ ID 3.45V @ 1µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs - 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2.5pF @ 5V 功率-最大 500mW 工作溫度 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SOIC |
Advanced Linear Devices Inc. 制造商 Advanced Linear Devices Inc. 系列 EPAD® FET類型 4 N-Channel, Matched Pair FET功能 Depletion Mode 漏極至源極電壓(Vdss) 10.6V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 12mA, 3mA Rds On(Max)@ Id,Vgs 540Ohm @ 0V Vgs(th)(最大)@ ID 3.45V @ 1µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs - 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2.5pF @ 5V 功率-最大 500mW 工作溫度 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 16-SOIC |