APT12080JVR數據表
|
制造商 Microsemi Corporation 系列 POWER MOS V® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 800mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 485nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 7800pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 450W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 供應商設備包裝 ISOTOP® 包裝/箱 SOT-227-4, miniBLOC |
