APT55M50JFLL數據表





制造商 Microsemi Corporation 系列 POWER MOS 7® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 550V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 77A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 50mOhm @ 38.5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 5V @ 5mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 265nC @ 10V Vgs(最大) ±30V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 12400pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 694W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 供應商設備包裝 ISOTOP® 包裝/箱 SOT-227-4, miniBLOC |