APTC60DAM35T1G數據表
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制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 72A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 35mOhm @ 72A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3.9V @ 5.4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 518nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 14000pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 416W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 供應商設備包裝 SP1 包裝/箱 SP1 |
