APTM120U10DAG數據表
|
制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 120mOhm @ 58A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 20mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1100nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 28900pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 3290W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 供應商設備包裝 SP6 包裝/箱 SP6 |
