AUIRLR3636數據表
|
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 6.8mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 49nC @ 4.5V Vgs（最大） ±16V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3779pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 143W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-Pak 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
