BBS3002-DL-E數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 100A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 5.8mOhm @ 50A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID - 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 280nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 13200pF @ 20V FET功能 - 功耗(最大值) 90W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SMP-FD 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 100A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 5.8mOhm @ 50A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID - 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 280nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 13200pF @ 20V FET功能 - 功耗(最大值) 90W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D²PAK (TO-263) 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 100A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 5.8mOhm @ 50A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID - 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 280nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 13200pF @ 20V FET功能 - 功耗(最大值) 90W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D²PAK (TO-263) 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |