BC182L_J35Z數據表



制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止(最大值) 15nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 120 @ 2mA, 5V 功率-最大 350mW 頻率-過渡 150MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic - 當前-集電極截止(最大值) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce - 功率-最大 - 頻率-過渡 - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止(最大值) 15nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 120 @ 2mA, 5V 功率-最大 350mW 頻率-過渡 150MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止(最大值) 15nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 120 @ 2mA, 5V 功率-最大 350mW 頻率-過渡 150MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止(最大值) 15nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 120 @ 2mA, 5V 功率-最大 350mW 頻率-過渡 150MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止(最大值) 15nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 120 @ 2mA, 5V 功率-最大 350mW 頻率-過渡 150MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 600mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止(最大值) 15nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 120 @ 2mA, 5V 功率-最大 350mW 頻率-過渡 150MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |