BCW66GLT1數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 800mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 700mV @ 50mA, 500mA 當前-集電極截止（最大值） 20nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 160 @ 100mA, 1V 功率-最大 300mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SOT-23-3 (TO-236) |
