BD18010STU數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 800mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 63 @ 150mA, 2V 功率-最大 30W 頻率-過渡 3MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝 TO-126-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 800mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 63 @ 150mA, 2V 功率-最大 30W 頻率-過渡 3MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝 TO-126-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 800mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 40 @ 150mA, 2V 功率-最大 30W 頻率-過渡 3MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝 TO-126-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 800mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 63 @ 150mA, 2V 功率-最大 30W 頻率-過渡 3MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝 TO-126-3 |
