BD238G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 * 晶體管類型 - 當前-集電極（Ic）（最大值） - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic - 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce - 功率-最大 - 頻率-過渡 - 工作溫度 - 安裝類型 - 包裝/箱 - 供應商設備包裝 - |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 25 @ 1A, 2V 功率-最大 25W 頻率-過渡 3MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝 TO-225AA |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 25 @ 1A, 2V 功率-最大 25W 頻率-過渡 3MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝 TO-225AA |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 100µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 25 @ 1A, 2V 功率-最大 25W 頻率-過渡 3MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-225AA, TO-126-3 供應商設備包裝 TO-225AA |
