BS107PSTOB數據表
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 200V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 120mA (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.6V, 5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 30Ohm @ 100mA, 5V Vgs(th)(最大)@ ID - 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs - Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - FET功能 - 功耗(最大值) 500mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 E-Line (TO-92 compatible) 包裝/箱 E-Line-3 |
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 200V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 120mA (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.6V, 5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 30Ohm @ 100mA, 5V Vgs(th)(最大)@ ID - 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs - Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - FET功能 - 功耗(最大值) 500mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 E-Line (TO-92 compatible) 包裝/箱 E-Line-3 |
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 Automotive, AEC-Q101 FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 200V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 120mA (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.6V, 5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 30Ohm @ 100mA, 5V Vgs(th)(最大)@ ID - 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs - Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 85pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 500mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 E-Line (TO-92 compatible) 包裝/箱 E-Line-3 |
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 200V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 120mA (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.6V, 5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 30Ohm @ 100mA, 5V Vgs(th)(最大)@ ID - 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs - Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - FET功能 - 功耗(最大值) 500mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-92-3 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |