BSP317PL6327HTSA1數據表
|
制造商 Infineon Technologies 系列 SIPMOS® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 430mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4Ohm @ 430mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 370µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 15.1nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 262pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1.8W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-SOT223-4 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA |
制造商 Infineon Technologies 系列 SIPMOS® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 430mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4Ohm @ 430mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 370µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 15.1nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 262pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1.8W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-SOT223-4 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA |
制造商 Infineon Technologies 系列 SIPMOS® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 430mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4Ohm @ 430mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 370µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 15.1nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 262pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1.8W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-SOT223-4 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA |
