BSS225L6327HTSA1數據表
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Infineon Technologies
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BSS225L6327HTSA1, BSS225
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制造商 Infineon Technologies 系列 SIPMOS® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 90mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 45Ohm @ 90mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.3V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 5.8nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 131pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-SOT89 包裝/箱 TO-243AA |
制造商 Infineon Technologies 系列 SIPMOS® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 90mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 45Ohm @ 90mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.3V @ 94µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 5.8nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 131pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-SOT89 包裝/箱 TO-243AA |
