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BTS113AE3045ANTMA1數據表

BTS113AE3045ANTMA1數據表
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Infineon Technologies
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BTS113AE3045ANTMA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

TEMPFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

560pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BTS113ANKSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

TEMPFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

560pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

P-TO220AB

包裝/箱

TO-220-3