BTS121AE3045ANTMA1數據表
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 TEMPFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 100V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 22A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 100mOhm @ 9.5A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs - Vgs(最大) ±10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1500pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 95W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-220AB 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 TEMPFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 100V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 22A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 100mOhm @ 9.5A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs - Vgs(最大) ±10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1500pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 95W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO220-3 包裝/箱 TO-220-3 |