BTS282Z E3230數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 TEMPFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 49V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 240µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 232nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4800pF @ 25V FET功能 Temperature Sensing Diode 功耗（最大值） 300W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 P-TO220-7-230 包裝/箱 TO-220-7 |
制造商 Infineon Technologies 系列 TEMPFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 49V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 240µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 232nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4800pF @ 25V FET功能 Temperature Sensing Diode 功耗（最大值） 300W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 P-TO220-7-3 包裝/箱 TO-220-7 |
制造商 Infineon Technologies 系列 TEMPFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 49V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 80A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 6.5mOhm @ 36A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 240µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 232nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4800pF @ 25V FET功能 Temperature Sensing Diode 功耗（最大值） 300W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-TO220-7-180 包裝/箱 TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
