BUK9E2R8-60E數據表
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制造商 NXP USA Inc. 系列 TrenchMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 120A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 2.6mOhm @ 25A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.1V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 120nC @ 5V Vgs(最大) ±10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 17450pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 349W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I2PAK 包裝/箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |