CY62126EV30LL-55ZSXE數據表
Cypress Semiconductor 制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 MoBL® 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Asynchronous 內存大小 1Mb (64K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 55ns 訪問時間 55ns 電壓-供電 2.2V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 125°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 44-TSOP II |
Cypress Semiconductor 制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 MoBL® 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Asynchronous 內存大小 1Mb (64K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 55ns 訪問時間 55ns 電壓-供電 2.2V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 125°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 44-TSOP II |
Cypress Semiconductor 制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 MoBL® 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Asynchronous 內存大小 1Mb (64K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 55ns 訪問時間 55ns 電壓-供電 2.2V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 125°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-VFBGA 供應商設備包裝 48-VFBGA (6x8) |
Cypress Semiconductor 制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 MoBL® 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Asynchronous 內存大小 1Mb (64K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 45ns 訪問時間 45ns 電壓-供電 2.2V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 125°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 44-TSOP II |
Cypress Semiconductor 制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 MoBL® 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Asynchronous 內存大小 1Mb (64K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 45ns 訪問時間 45ns 電壓-供電 2.2V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-VFBGA 供應商設備包裝 48-VFBGA (6x8) |
Cypress Semiconductor 制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 MoBL® 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Asynchronous 內存大小 1Mb (64K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 45ns 訪問時間 45ns 電壓-供電 2.2V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 48-VFBGA 供應商設備包裝 48-VFBGA (6x8) |
Cypress Semiconductor 制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 MoBL® 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Asynchronous 內存大小 1Mb (64K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 45ns 訪問時間 45ns 電壓-供電 2.2V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 44-TSOP II |
Cypress Semiconductor 制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 MoBL® 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Asynchronous 內存大小 1Mb (64K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 45ns 訪問時間 45ns 電壓-供電 2.2V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 44-TSOP II |