CY62256NLL-55ZRXET數據表
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制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 MoBL® 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Asynchronous 內存大小 256Kb (32K x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 55ns 訪問時間 55ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 -40°C ~ 125°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 供應商設備包裝 28-TSOP I |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 MoBL® 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Asynchronous 內存大小 256Kb (32K x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 55ns 訪問時間 55ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 -40°C ~ 125°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 供應商設備包裝 28-TSOP I |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 MoBL® 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Asynchronous 內存大小 256Kb (32K x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 70ns 訪問時間 70ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 供應商設備包裝 28-SOIC |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 MoBL® 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Asynchronous 內存大小 256Kb (32K x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 70ns 訪問時間 70ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 供應商設備包裝 28-SOIC |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 MoBL® 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Asynchronous 內存大小 256Kb (32K x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 70ns 訪問時間 70ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 供應商設備包裝 28-SOIC |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 MoBL® 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Asynchronous 內存大小 256Kb (32K x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 70ns 訪問時間 70ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 28-DIP (0.600", 15.24mm) 供應商設備包裝 28-DIP |
