CY7C1474BV25-200BGIT數據表
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制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 NoBL™ 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 72Mb (1M x 72) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3ns 電壓-供電 2.375V ~ 2.625V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 209-BGA 供應商設備包裝 209-FBGA (14x22) |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 NoBL™ 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 72Mb (1M x 72) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3ns 電壓-供電 2.375V ~ 2.625V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 209-BGA 供應商設備包裝 209-FBGA (14x22) |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 NoBL™ 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 72Mb (1M x 72) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3ns 電壓-供電 2.375V ~ 2.625V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 209-BGA 供應商設備包裝 209-FBGA (14x22) |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 NoBL™ 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 72Mb (1M x 72) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3ns 電壓-供電 2.375V ~ 2.625V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 209-BGA 供應商設備包裝 209-FBGA (14x22) |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 NoBL™ 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 72Mb (1M x 72) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 167MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3.4ns 電壓-供電 2.375V ~ 2.625V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 209-BGA 供應商設備包裝 209-FBGA (14x22) |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 NoBL™ 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 72Mb (1M x 72) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 167MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3.4ns 電壓-供電 2.375V ~ 2.625V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 209-BGA 供應商設備包裝 209-FBGA (14x22) |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 NoBL™ 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 72Mb (1M x 72) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 167MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3.4ns 電壓-供電 2.375V ~ 2.625V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 209-BGA 供應商設備包裝 209-FBGA (14x22) |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 NoBL™ 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 72Mb (1M x 72) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 167MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3.4ns 電壓-供電 2.375V ~ 2.625V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 209-BGA 供應商設備包裝 209-FBGA (14x22) |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 NoBL™ 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 72Mb (4M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 250MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3ns 電壓-供電 2.375V ~ 2.625V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-LBGA 供應商設備包裝 165-FBGA (15x17) |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 NoBL™ 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 72Mb (4M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3ns 電壓-供電 2.375V ~ 2.625V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-LBGA 供應商設備包裝 165-FBGA (15x17) |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 NoBL™ 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 72Mb (4M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3ns 電壓-供電 2.375V ~ 2.625V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-LBGA 供應商設備包裝 165-FBGA (15x17) |
制造商 Cypress Semiconductor Corp 系列 NoBL™ 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 72Mb (2M x 36) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3ns 電壓-供電 2.375V ~ 2.625V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-LBGA 供應商設備包裝 165-FBGA (15x17) |
