DD1200S12H4HOSA1數據表
DD1200S12H4HOSA1數據表
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Infineon Technologies
此數據表涵蓋了2零件號:
DD1200S12H4HOSA1, DD1200S12H4
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制造商 Infineon Technologies 系列 - IGBT類型 - 配置 2 Independent 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 1200A 功率-最大 1200000W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.35V @ 15V, 1200A 當前-集電極截止（最大值） - 輸入電容（Cies）@ Vce - 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Module 供應商設備包裝 Module |
制造商 Infineon Technologies 系列 - 二極管配置 2 Independent 二極管類型 Standard 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 1200V 電流-平均整流（Io）（每個二極管） - 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 2.35V @ 1200A 速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 475A @ 600V 工作溫度-結點 -40°C ~ 150°C 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Module 供應商設備包裝 AG-IHMB130-2 |
