DMG4800LK3-13數據表
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制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 17mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 8.7nC @ 5V Vgs（最大） ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 798pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 1.71W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-252-3 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
