DMG6601LVT-7數據表
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制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.8A, 2.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs 55mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 12.3nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 422pF @ 15V 功率-最大 850mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝 TSOT-26 |
