DMHC10H170SFJ-13數據表
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制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.9A, 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs 160mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 9.7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1167pF @ 25V 功率-最大 2.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 12-VDFN Exposed Pad 供應商設備包裝 V-DFN5045-12 |
