DMN1004UFDF-7數據表
DMN1004UFDF-7數據表
總頁數: 8
大小: 537.92 KB
Diodes Incorporated
此數據表涵蓋了2零件號:
DMN1004UFDF-7, DMN1004UFDF-13
|
制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4.8mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 47nC @ 10V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2385pF @ 6V FET功能 - 功耗（最大值） 2.1W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 U-DFN2020-6 包裝/箱 6-UDFN Exposed Pad |
制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4.8mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 47nC @ 10V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2385pF @ 6V FET功能 - 功耗（最大值） 2.1W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 U-DFN2020-6 包裝/箱 6-UDFN Exposed Pad |
