DMN63D8LDW-13數據表
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制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 220mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 870nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 22pF @ 25V 功率-最大 300mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SOT-363 |
制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 220mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 870nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 22pF @ 25V 功率-最大 300mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SOT-363 |
