DMP2066LVT-13數據表
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 4.5A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 45mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 14.4nC @ 4.5V Vgs(最大) ±8V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1496pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 1.2W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TSOT-26 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 4.5A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 45mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 25nC @ 10V Vgs(最大) ±8V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2990pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 1.2W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-26 包裝/箱 SOT-23-6 |