DRDNB26W-7數據表
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制造商 Diodes Incorporated 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值） 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 220 Ohms 電阻-發射極基（R2） 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 47 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 200MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SOT-363 |
制造商 Diodes Incorporated 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值） 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 220 Ohms 電阻-發射極基（R2） 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 47 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 200MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SOT-363 |
制造商 Diodes Incorporated 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值） 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 1 kOhms 電阻-發射極基（R2） 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 200MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SOT-363 |
制造商 Diodes Incorporated 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值） 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 1 kOhms 電阻-發射極基（R2） 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 200MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SOT-363 |
制造商 Diodes Incorporated 系列 - 晶體管類型 NPN + Diode (Isolated) 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 18V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 500mV @ 30mA, 300mA 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 150 @ 100mA, 1V 功率-最大 200mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SOT-363 |
制造商 Diodes Incorporated 系列 - 晶體管類型 PNP + Diode (Isolated) 當前-集電極（Ic）（最大值） 600mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 400mV @ 15mA, 150mA 當前-集電極截止（最大值） 10nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 150mA, 10V 功率-最大 200mW 頻率-過渡 200MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SOT-363 |
制造商 Diodes Incorporated 系列 - 晶體管類型 NPN + Diode (Isolated) 當前-集電極（Ic）（最大值） 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 100mA, 1V 功率-最大 200mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SOT-363 |
