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DTC123JUBHZGTL數據表

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Rohm Semiconductor
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DTC123JUBHZGTL

Rohm Semiconductor

制造商

Rohm Semiconductor

系列

Automotive, AEC-Q101

晶體管類型

NPN - Pre-Biased + Diode

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-85

供應商設備包裝

UMT3F