EFC6602R-TR數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss） - 電流-25°C時的連續漏極（Id） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 55nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 2W 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-XFBGA, FCBGA 供應商設備包裝 EFCP2718-6CE-020 |
