EMG3T2R數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 150mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-75, SOT-416 供應商設備包裝 EMT3 |
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-74A, SOT-753 供應商設備包裝 SMT5 |
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值） - 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 150mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 供應商設備包裝 UMT5 |
