EMZ8T2R數據表
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Rohm Semiconductor





制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN, PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 150mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V, 12V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V 功率-最大 150mW 頻率-過渡 180MHz, 260MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝 EMT6 |
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN, PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 150mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V, 12V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V 功率-最大 150mW 頻率-過渡 180MHz, 260MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 UMT6 |