EPC2012數據表
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制造商 EPC 系列 eGaN® FET類型 N-Channel 技術 GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 100mOhm @ 3A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1.8nC @ 5V Vgs（最大） +6V, -5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 145pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 -40°C ~ 125°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 Die 包裝/箱 Die |
