EPC2021ENGR數據表
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制造商 EPC 系列 eGaN® FET類型 N-Channel 技術 GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss） 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 60A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.5mOhm @ 29A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 14mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 15nC @ 5V Vgs（最大） +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1700pF @ 40V FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 Die 包裝/箱 Die |
制造商 EPC 系列 eGaN® FET類型 N-Channel 技術 GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss） 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 90A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.5mOhm @ 29A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 14mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 15nC @ 5V Vgs（最大） +6V, -4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1650pF @ 40V FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 Die 包裝/箱 Die |
