FDC658AP數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 PowerTrench® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 50mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 8.1nC @ 5V Vgs（最大） ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 470pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 1.6W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SuperSOT™-6 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
