FDMC2610數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 UniFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 200V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 6V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 200mOhm @ 2.2A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 18nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 960pF @ 100V FET功能 - 功耗(最大值) 2.1W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-MLP (3.3x3.3) 包裝/箱 8-PowerWDFN |