FGB40N6S2數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 75A 電流-集電極脈沖（Icm） 180A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.7V @ 15V, 20A 功率-最大 290W 開關能量 115µJ (on), 195µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 35nC 25°C時的Td（開/關） 8ns/35ns 測試條件 390V, 20A, 3Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供應商設備包裝 TO-263AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 75A 電流-集電極脈沖（Icm） 180A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.7V @ 15V, 20A 功率-最大 290W 開關能量 115µJ (on), 195µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 35nC 25°C時的Td（開/關） 8ns/35ns 測試條件 390V, 20A, 3Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供應商設備包裝 TO-263AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 75A 電流-集電極脈沖（Icm） 180A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.7V @ 15V, 20A 功率-最大 290W 開關能量 115µJ (on), 195µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 35nC 25°C時的Td（開/關） 8ns/35ns 測試條件 390V, 20A, 3Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 75A 電流-集電極脈沖（Icm） 180A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.7V @ 15V, 20A 功率-最大 290W 開關能量 115µJ (on), 195µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 35nC 25°C時的Td（開/關） 8ns/35ns 測試條件 390V, 20A, 3Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-247-3 供應商設備包裝 TO-247-3 |
