FGD3N60UNDF數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 6A 電流-集電極脈沖（Icm） 9A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.52V @ 15V, 3A 功率-最大 60W 開關能量 52µJ (on), 30µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 1.6nC 25°C時的Td（開/關） 5.5ns/22ns 測試條件 400V, 3A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） 21ns 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 TO-252, (D-Pak) |
