FMD47-06KC5數據表



制造商 IXYS 系列 CoolMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 600V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 47A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 45mOhm @ 44A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3.5V @ 3mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 190nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 6800pF @ 100V FET功能 - 功耗(最大值) - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 ISOPLUS i4-PAC™ 包裝/箱 ISOPLUSi5-Pak™ |
制造商 IXYS 系列 CoolMOS™, HiPerDyn™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 600V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 47A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 45mOhm @ 44A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3.5V @ 3mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 190nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 6800pF @ 100V FET功能 - 功耗(最大值) - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 ISOPLUS i4-PAC™ 包裝/箱 ISOPLUSi5-Pak™ |