FQA28N50_F109數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 QFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 28.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 160mOhm @ 14.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 140nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5600pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 310W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-3P 包裝/箱 TO-3P-3, SC-65-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 QFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 28.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 160mOhm @ 14.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 140nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5600pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 310W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-3P 包裝/箱 TO-3P-3, SC-65-3 |
