FQB10N60CTM數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 QFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 9.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 730mOhm @ 4.75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 57nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2040pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 3.13W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 QFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 9.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 730mOhm @ 4.75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 57nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2040pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 3.13W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I2PAK (TO-262) 包裝/箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
