HAT2165H-EL-E數據表
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制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 55A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 3.3mOhm @ 27.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 33nC @ 4.5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5180pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 30W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 LFPAK 包裝/箱 SC-100, SOT-669 |
