HGT1S3N60A4DS9A數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 17A 電流-集電極脈沖（Icm） 40A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.7V @ 15V, 3A 功率-最大 70W 開關能量 37µJ (on), 25µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 21nC 25°C時的Td（開/關） 6ns/73ns 測試條件 390V, 3A, 50Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） 29ns 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供應商設備包裝 TO-263AB |
