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HGTG11N120CN數據表

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ON Semiconductor
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HGTG11N120CN

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

43A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 11A

功率-最大

298W

開關能量

400µJ (on), 1.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/180ns

測試條件

960V, 11A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3