HGTG12N60B3數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 27A 電流-集電極脈沖（Icm） 110A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.1V @ 15V, 12A 功率-最大 104W 開關能量 150µJ (on), 250µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 51nC 25°C時的Td（開/關） 26ns/150ns 測試條件 480V, 12A, 25Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-247-3 供應商設備包裝 TO-247-3 |
