HGTP12N60C3數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 24A 電流-集電極脈沖（Icm） 96A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2V @ 15V, 12A 功率-最大 104W 開關能量 380µJ (on), 900µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 48nC 25°C時的Td（開/關） - 測試條件 - 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
